FF1MR12MM1H_B11
Active and preferred
RoHS対応

FF1MR12MM1H_B11

CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール1200 V
データシート
ボード
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FF1MR12MM1H_B11
FF1MR12MM1H_B11
個.
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on)
    1.46 mΩ
  • アプリケーション
    EV Charger, CAV, UPS, Solar, ESS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    EconoDUAL™ 3
  • 寸法 (length)
    152 mm
  • 寸法 (width)
    62.5 mm
  • 特長
    PressFIT
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF1MR12MM1HB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-ECONOD
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-ECONOD
パッケージ名 -
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール、1200 V、1.46 mΩ、NTC温度センサー内蔵、PressFITテクノロジー搭載

特長

  • 低スイッチング損失
  • 優れたゲート酸化膜の信頼性
  • ゲートしきい値電圧が高い
  • より高い出力
  • 堅牢な一体型ボディダイオード
  • 宇宙線に対する高い耐性
  • 高速スイッチングモジュール
  • Tvj op= 175℃ 過負荷
  • PressFITピン
  • ネジ式電源端子
  • NTC温度センサー内蔵
  • 絶縁ベースプレート

利点

  • High switching frequency
  • Reduced volume and size
  • Reduction of system costs
  • High thermal efficiency
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }