Active and preferred
RoHS準拠

FF17MR12W1M1H_B70

EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール1200 V
データシート
EA.
個の在庫あり

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FF17MR12W1M1H_B70
FF17MR12W1M1H_B70
EA.
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    17 mΩ
  • アプリケーション
    ESS, EV Charger, Solar, UPS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 1B
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 寸法 (width)
    33.8 mm
  • 特長
    PressFIT, AlN
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF17MR12W1M1HB70BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 24
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
包装サイズ 24
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
EasyDUAL™ 1B 1200 V、17 mΩハーフブリッジモジュール。CoolSiC™ MOSFET強化第1世代、統合NTC、PressFITコンタクトテクノロジー、窒化アルミニウムセラミックを搭載。

特長

  • クラス最高のパッケージ: 高さ12 mm
  • 簡単なモジュールパッケージ
  • 非常に低いモジュール浮遊インダクタンス
  • 広いRBSOA
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • ゲート駆動電圧: +15～+18 Vおよび0～-5 V
  • 最大ゲート-ソース間電圧: +23 V & -10 V
  • Tvjop過負荷条件下。< 175℃
  • PressFITピン
  • NTC温度センサー内蔵
  • 窒化アルミニウムセラミック

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }