Active and preferred
RoHS準拠

FF17MR12W1M1H_B11

EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFET half-bridge module 1200 V
データシート
EA.
個の在庫あり

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FF17MR12W1M1H_B11
FF17MR12W1M1H_B11
EA.
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    17 mΩ
  • アプリケーション
    EV Charger, Solar, UPS, UPS, ESS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 1B
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 寸法 (width)
    33.8 mm
  • 特長
    PressFIT
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF17MR12W1M1HB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 24
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
包装サイズ 24
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
EasyDUAL™ 1B 1200 V, 17 mΩ half-bridge module with CoolSiC™ MOSFET enhanced generation 1, integrated NTC temperature sensor and PressFIT Contact Technology

特長

  • Best-in-class package: 12 mm height
  • Easy module packages
  • Very low module stray inductance
  • Wide RBSOA
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • Gate drive vol.: +15…+18 V & 0…-5 V
  • Max. gate-source v.: +23 V & -10 V
  • Tvjop under overload condi. < 175°C
  • PressFIT pins
  • Integrated NTC temperature sensor

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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