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CYRS16B512-133FZMB

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CYRS16B512-133FZMB
CYRS16B512-133FZMB
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2030
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Dual-Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    133 MByte/s
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    FL-L
  • リードボール仕上げ
    Ni/Au
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    2.7 V to 3.6 V
  • 周波数
    133 MHz
  • 組織 (X x Y)
    x8
  • 認定
    Military
推奨
OPN
CYRS16B512-133FZMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (002-26946)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (002-26946)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s radiation tolerant, the CYRS16B and CYPT16B, serial NOR Flash family offers the industry’s highest performance, small footprint memory devices that are QML-V equivalent qualifiedOur radiation tolerant NOR flash memories are low pin count, low power and offer flexibility, reliability and performance well beyond ordinary serial flash devices. The industry standard QSPI interface is high performance and simple to use with broad ecosystem support.

機能

  • 512 Mb density
  • QSPI / dual QSPI
  • 50MHz SDR (read) clock rate
  • 133MHz SDR fast dual quad read clockrate
  • 66MHz DDR (quad read) clock rate
  • 1000 progr/sector erase endurance cycles
  • 100-year data retention
  • 2.0 V–3.6 V operating voltage range
  • 270ms typical sector erase time 64 KByte
  • 2.7 V to 3.6 V operating voltage range
  • Low operating current (10 mA max)
  • –55°C to +125°C military temp grade

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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