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CYRS16B512-133FZMB

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CYRS16B512-133FZMB
CYRS16B512-133FZMB
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2030
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Dual-Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    133 MByte/s
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    FL-L
  • リードボール仕上げ
    Ni/Au
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    2.7 V to 3.6 V
  • 周波数
    133 MHz
  • 組織 (X x Y)
    x8
  • 認定
    Military
推奨
OPN
CYRS16B512-133FZMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (002-26946)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (002-26946)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンの耐放射線シリアルNORフラッシュ ファミリーのCYRS16BおよびCYPT16Bは、業界最高レベルの性能を誇る、QML-V相当の認定を取得した小型フットプリントのメモリ デバイスです。当社の耐放射線性NORフラッシュ メモリは、ピン数が少なく、消費電力も低く、通常のシリアル フラッシュ デバイスをはるかに超える柔軟性、信頼性、性能を実現しています。業界標準のQSPIインターフェースは、幅広いエコシステムのサポートにより高性能かつ使いやすくなっています。

機能

  • 512 Mbの大容量
  • QSPI/デュアルQSPI
  • SDR (リード) クロックレート50MHz
  • SDR高速デュアルクワッド読み取りクロックレート133 MHz
  • DDR (Quadリード) クロックレート66 MHz
  • 1000回のプログラム/セクター消去のサイクルが可能
  • データ保持期間100年間
  • 動作電圧2.0 V～3.6 V
  • 64 KByteのセクター消去時間 (typ.) 270 ms
  • 動作電圧2.7 V～3.6 V
  • 低動作電流 (最大10 mA)
    • 軍用温度グレード –55°C～+125°C

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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