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RoHS準拠

CYRS1061G30-10GGMB

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CYRS1061G30-10GGMB
CYRS1061G30-10GGMB

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    2300 mg
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Au
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    2.2 V to 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2.2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Military
  • 速度
    10 ns
OPN
CYRS1061G30-10GGMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 CER-TSOP-II-54 (002-18372)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 CER-TSOP-II-54 (002-18372)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンの16Mb非同期SRAMファミリーは、インフィニオンの特許取得済みRADSTOP™テクノロジーで設計されており、宇宙やその他の過酷な環境でのアプリケーションに最適です。16Mb高速SRAMは、1Mビット x 16ビットとして構成されたECCを備えた高性能、低消費電力のSRAMです。注: この製品は5962R2020201VXCに置き換えられました。

機能

  • 16 Mbメモリ容量、1M x 16
  • 組込みECC(SEC)
  • 10 nsのアクセス時間
  • 動作電圧 1.8~5.0 V
  • –55°C~+125°C の軍用温度グレード
  • 54リード セラミックTSOP (CTSOP)
  • 放射線性能
  • TID: 200 Krad
  • SEL: > 60 MeV.cm2/mg @ 95°C
  • SEU: ≤ 1 x 10-10 upsets/bit-day
  • QML-V 認定

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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