Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CYRS1049DV33-12FZMB

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CYRS1049DV33-12FZMB
CYRS1049DV33-12FZMB

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Au
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    3 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Military
  • 速度
    12 ns
OPN
CYRS1049DV33-12FZMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s FAST 4-Mbit asynchronous Static RAMs designed with Infineon’s patented RADSTOP™ technology is well suited for space as well as other harsh environment applications. The 4-Mbit FAST SRAM is a high-performance, low power SRAM organized as 512 Kwords by 8-bits. For flight devices, order DLAM QML-V part number 5962F1123501VXC.

機能

  • 512-Kbit x8 bus-width configuration
  • 12 ns (125°C) access times
  • 3.3 V operating voltage
  • 55°C to +125°C military temperature grade
  • Bit-interleaving to eliminate multi-bit errors
  • Low active power
  • Low CMOS standby power
  • 2.0 V data retention
  • Automatic power-down when deselected
  • 36-pin Ceramic Flat Pack (CFP)
  • MIL-PRF 38535 compliant
  • QML-V qualified

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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