CY7C1062GE30-10BGXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1062GE30-10BGXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1062GE30-10BGXI
CY7C1062GE30-10BGXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 32
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1062GE30-10BGXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-119
パッケージ名 BGA-119 (51-85115)
梱包サイズ 168
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-119
パッケージ名 BGA-119 (51-85115)
梱包サイズ 168
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1062GE30-10BGXIは16 Mbit（512 K×32）の高速非同期CMOS SRAMで、単一ビット誤りの検出・訂正用ECCを内蔵し、訂正発生をERR出力で通知します。アクセス時間tAAは10 ns、電源2.2 V～3.6 V、動作温度-40°C～+85°C。Pbフリー119ボールPBGAで、3つのチップイネーブルとBA–BDのバイト書込みイネーブルにより拡張とバイト書込みに対応します。

特長

  • 16-Mbit SRAM(512K×32)
  • ECC内蔵 1ビット訂正
  • ERR出力でECCイベント通知
  • tAAアクセス10 ns/15 ns
  • 4バイトイネーブル(BA-BD)
  • 3チップイネーブル(CE1-3)
  • 非選択で自動パワーダウン
  • 無効時は出力ハイインピーダンス
  • TTL互換の入出力レベル
  • VCC:1.65-2.2/2.2-3.6 V
  • VDR=1.0 Vでデータ保持
  • ESD(HBM)>2001 V

利点

  • 32ビットバスに直結できる
  • ECCでデータ整合性向上
  • ERRで障害対応を高速化
  • 10/15 nsで高速アクセス
  • バイト書込みで帯域を節約
  • 3イネーブルで拡張が簡単
  • 自動停止で待機電力低減
  • ハイZでバス共有が容易
  • TTLでインターフェース容易
  • 一般的な電源レールに対応
  • 1.0 V保持で電池寿命向上
  • >2001 V ESDで堅牢性向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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