CY7C1061G30-10ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1061G30-10ZSXI

High-Density 16 Mbit Parallel FAST SRAM with Industrial Qualification and Fast Access Time
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1061G30-10ZSXI
CY7C1061G30-10ZSXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1061G30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1080
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1080
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
CY7C1061G30-10ZSXI is a 16-Mbit (1M x 16) fast asynchronous SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40 to 85°C and supports 10 ns access time. Dual chip enables, byte write via BLE/BHE, TTL-compatible I/O, and automatic CE power-down (ISB2 20 mA typ, ICC 90 mA typ at 100 MHz) support data buffering in industrial embedded and networking equipment.

特長

  • 16-Mbit (1M x 16) async SRAM
  • Embedded ECC single-bit correction
  • ERR output flags corrected 1-bit
  • tAA access time 10 ns/15 ns
  • 16-bit I/O with BLE/BHE byte writes
  • Single or dual chip-enable inputs
  • Auto CE power-down (ISB1/ISB2)
  • ICC typ 90 mA at 100 MHz
  • 1.0 V data retention mode
  • TTL-compatible I/O levels
  • Ambient temp -40°C to +85°C
  • ESD > 2001 V (MIL-STD-883)

利点

  • ECC improves SRAM data integrity
  • ERR pin simplifies error monitoring
  • 10 ns access supports fast reads
  • Byte writes reduce write bandwidth
  • CE options ease system integration
  • Auto power-down cuts standby draw
  • 1.0 V retention lowers backup power
  • TTL levels ease bus interfacing
  • -40°C to +85°C boosts reliability
  • High ESD improves handling margin
  • Lower active current reduces heat
  • Async SRAM simplifies controller logic

アプリケーション

産業用オートメーション
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ