CY7C1061G30-10ZSXI
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1061G30-10ZSXI

High-Density 16 Mbit Parallel FAST SRAM with Industrial Qualification and Fast Access Time
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1061G30-10ZSXI
CY7C1061G30-10ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1061G30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1080
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1080
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1061G30-10ZSXIは16-Mbit（1M×16）の高速非同期SRAMで、単ビット訂正用ECCを内蔵。2.2 V～3.6 V、-40～85°Cで動作し、アクセス時間10 nsに対応。デュアルチップイネーブル、BLE/BHEのバイト書き込み、TTL互換I/O、自動CEパワーダウン（ISB2 20 mA typ、100 MHzでICC 90 mA typ）により、産業用組み込み機器やネットワーク機器のデータバッファに適します。

特長

  • 16 Mbit(1M×16)非同期SRAM
  • ECC内蔵 1ビット訂正
  • ERR出力で訂正1ビット通知
  • tAAアクセス時間10 ns/15 ns
  • 16ビットI/O BLE/BHEバイト書込
  • 単/デュアルチップイネーブル
  • CE自動パワーダウン(ISB1/2)
  • ICC typ 90 mA@100 MHz
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • TTL互換I/Oレベル
  • 周囲温度-40°C〜+85°C
  • ESD>2001 V(MIL-STD-883)

利点

  • ECCでSRAMのデータ整合性向上
  • ERRでエラー監視が簡単
  • 10 nsアクセスで高速読出し
  • バイト書込みで帯域を節約
  • CE選択で実装が容易
  • 自動パワーダウンで待機低減
  • 1.0 V保持でバックアップ低減
  • TTLレベルで接続が容易
  • -40°C〜+85°Cで高信頼
  • 高ESDで取扱い余裕向上
  • 動作電流低減で発熱抑制
  • 非同期SRAMで制御が簡単

アプリケーション

産業用オートメーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ