CY7C1059H30-10ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1059H30-10ZSXIT

その他の技術情報
パッケージ

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CY7C1059H30-10ZSXIT
CY7C1059H30-10ZSXIT
その他の技術情報

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY7C1059H30-10ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1059H30-10ZSXITは8 Mbit（1M×8）の非同期CMOS SRAMで、単一ビット訂正用のECCを内蔵します。2.2 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、アドレスアクセスtAAは10 nsです。CE1/CE2のデュアルチップイネーブルとOE/WEでリード/ライトを制御し、非選択時はI/Oが3ステートになります。ICCは100 MHzで典型90 mA、ISB2スタンバイは典型20 mAです。Pb-free 44ピンTSOP II（ZS）で提供されます。

特長

  • 8 Mbit SRAM（1M×8）
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • VCC範囲2.2 V～3.6 V
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • アクセス時間tAA=10 ns
  • 読出しサイクルtRC=10 ns
  • 書込みサイクルtWC=10 ns
  • OEからデータ有効5 ns
  • デュアルCE（CE1/CE2）
  • 3ステート出力（OE/CE/WE）
  • TTL互換I/Oしきい値
  • ERRで1ビットECC事象通知

利点

  • ECCで1ビット誤りを訂正
  • ERRピンで故障監視が容易
  • 10 nsサイクルで高速バス対応
  • OE遅延5 nsで読出し高速化
  • 2.2-3.6 Vで3.3 V系に適合
  • 1.0 V保持でバックアップ低電力
  • デュアルCEで選択制御が容易
  • 3ステートI/Oでバス共有簡単
  • TTLしきい値で接続が簡単
  • I/O漏れ±1 µAで損失低減
  • CEパワーダウンで待機低減
  • 高速SRAMで待ち時間を削減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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