CY62146G30-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62146G30-45ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62146G30-45ZSXI
CY62146G30-45ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62146G30-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62146G30-45ZSXIは4-Mbit（256K×16）の非同期CMOS SRAMで、単一ビット訂正用のECCを内蔵します。-45スピード品は2.2 V～3.6 V、工業温度範囲（-40°C～+85°C）で45 nsアクセスに対応。44ピンTSOP II（ZS、シングルCE）で、BLE/BHEのバイト書き込みとISB2による低スタンバイ（typ 3.5 µA、max 8.7 µA）を備えます。

特長

  • 4 Mbit SRAM(256K×16)
  • 内蔵ECCで1bit訂正
  • 45 ns/55 ns読出サイクル
  • OEアクセス22 ns(45 ns)
  • 16ビットI/O+バイト有効
  • アドレスA0-A17(18ビット)
  • 単/デュアルのチップイネーブル
  • 自動PD待機3.5 µA typ
  • 待機電流8.7 µA max
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • TTL互換I/Oレベル
  • 非選択時出力はHI-Z

利点

  • 16ビットのメモリマップに適合
  • 読出時にビット誤りを訂正
  • 45 nsでCPUアクセス高速化
  • 22 ns OEで読出遅延を低減
  • バイト書込みで帯域を節約
  • 18ビットでデコードを簡素化
  • CE選択肢で設計導入が容易
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 低待機上限で電力設計が容易
  • 深いスリープでもデータ保持
  • TTL I/Oで接続が容易
  • HI-Z出力でバス共有が容易

アプリケーション

産業用オートメーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ