Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B201QN-50SXE

データシート
パッケージ

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CY15B201QN-50SXE
CY15B201QN-50SXE
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ファミリー
    Excelon™
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    50 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
推奨
OPN
CY15B201QN-50SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 470
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B201QN-50SXEは、128 K × 8構成の1-Mb車載用強誘電体RAM（F-RAM）で、最大50 MHzのSPIインターフェースに対応します。10兆回の読み書き耐久性と121年のデータ保持、バス速度での即時書き込みを実現。1.8 V～3.6 V動作、-40°C～+125°C、AEC-Q100 Grade 1準拠。低消費電流、高度な書き込み保護、256バイト専用セクタを備え、自動車や産業用途の高信頼・高速不揮発性メモリに最適です。

特長

  • 1Mb強誘電体RAM、128K×8構成
  • 10^13回の高耐久読み書き
  • 85°Cで121年データ保持
  • 即時不揮発書き込み
  • SPI最大50MHz対応
  • SPIモード0/3対応
  • HW/SW書き込み保護
  • デバイス/ユニークID・シリアル番号
  • 256バイト専用セクタ
  • 4.3mA動作/3.2µA待機電流
  • ディープパワーダウン/休止
  • 広VDD：1.8 V～3.6 V

利点

  • 電源断後もデータ保持
  • 頻繁書き込みでも劣化なし
  • 書き込み待ち時間ゼロ
  • 高速動作で厳しい用途に最適
  • SPI標準で柔軟な統合
  • データ保護強化
  • ユニークIDでトレーサビリティ
  • 専用セクタはリフロー耐性
  • 低消費電力で電池長持ち
  • 省電力モードで待機電流低減
  • 過酷な環境下でも動作
  • EEPROM/フラッシュ置換可能

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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