Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B064J-SXAT

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パッケージ

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CY15B064J-SXAT
CY15B064J-SXAT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.65 V
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B064J-SXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B064J-SXATは64 Kbit（8K × 8）車載グレードのシリアルF-RAMメモリで、I2Cインターフェース搭載。高耐久性不揮発性ストレージとして、1e14回の読み書きと65℃で151年のデータ保持を実現。2.7 V～3.65 V動作、-40℃～+85℃対応、NoDelay™バス速度書き込み、低消費電力、I2C EEPROMの直接置換が可能。頻繁なデータロギングや自動車・産業用途に最適。

特長

  • 64 Kbit不揮発性F-RAM、8K×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み技術
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 100 μA低動作電流（100 kHz）
  • 3 μA低スタンバイ電流（標準）
  • 広いVDD：2.7 V～3.65 V
  • 動作温度：–40°C～+85°C
  • 書き込み保護ピン（WP）
  • シュミットトリガ入力で耐ノイズ
  • ESD保護：2 kV HBM、500 V CDM

利点

  • 頻繁な書き込みもデータ信頼性維持
  • 151年保持で長期保存に最適
  • 書き込み遅延なしで高速応答
  • シリアルEEPROMと互換
  • 低消費電力で電池長持ち
  • 広い電圧範囲で設計柔軟
  • 厳しい温度環境でも動作
  • 書き込み保護で誤操作防止
  • ノイズ耐性で信頼性向上
  • ESD保護で耐久性強化

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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