Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

AIMZA75R027M1H

The CoolSiC™ MOSFET 750 V G1 is a highly robust SiC MOSFET for the best combination of system performance and reliability
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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AIMZA75R027M1H
AIMZA75R027M1H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    60 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    27 mΩ
  • VDS max
    750 V
  • パッケージ
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AIMZA75R027M1HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET 750 V G1 leverages more than 20 years of SiC experience in Infineon. It offers an edge in performance, reliability and robustness, with gate driving flexibility, enabling the simplified and cost effective system design for top efficiency and power density.

機能

  • Highly robust 750 V technology
  • Best-in-class RDS(on) x Qfr
  • Excellent Ron x Qoss and Ron x QG
  • Low Crss/Ciss together and high VGSth
  • 100% avalanche tested
  • Infineon die attach technology

利点

  • Superior efficiency in hard switching
  • Enables higher switching frequency
  • Higher reliability
  • Withstand bus voltages beyond 500 V
  • Robustness against parasitic turn
  • Unipolar driving

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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