AIDW12S65C5

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データシート

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AIDW12S65C5
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データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    71 A
  • IF (最大)
    12 A
  • IR
    2.1 µA
  • Ptot (最大)
    75.8 W
  • QC
    18 nC
  • RthJC
    1.53 K/W
  • VF
    1.5 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 認定
    Automotive
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The 5th Generation CoolSiC™ Automotive Schottky Diode showcases Infineon's advanced Silicon Carbide Schottky Barrier diode technology. With a compact design and thin wafer-based technology, it offers improved efficiency across all load conditions, complementing Infineon’s IGBT and CoolMOS™ portfolio to meet stringent application requirements in the 650V voltage class.

特長

  • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
  • Benchmark switching behavior
  • No reverse recovery/ No forward recovery
  • Temperature independent switching behavior
  • High surge current capability
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Junction Temperature range from  -40°C to 175°C
  • System efficiency improvement over Si diodes
  • System cost / size savings due to reduced cooling requirements
  • Enabling higher frequency / increased power density solutions
  • Higher system reliability due to lower operating temperatures
  • Reduced EMI

利点

  • Traction inverter
  • Booster / DCDC Converter
  • On board Charger / PFC

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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