2ED020I06-FI

650 V half-bridge gate driver IC with galvanic isolation, shutdown
データシート

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2ED020I06-FI
2ED020I06-FI
データシート

Product details

  • VBS UVLO (Off)
    11.2 V
  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    11 V
  • VCC UVLO (On)
    12 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    85 ns
  • 伝搬遅延オン
    85 ns
  • 入力 Vcc
    14 V to 18 V
  • 出力電流 (Sink)
    2.5 A
  • 出力電流 (Source)
    1.5 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
EiceDRIVER™ Enhanced - High voltage, high speed power MOSFET and IGBT half-bridge driver IC with coreless transformer technology and interlocking high and low side referenced outputs.

機能

  • 650 V Coreless Transformer Driver
  • Rail-to-rail outputs
  • Protection function
  • Floating high side driver
  • Undervol. lockout for both channels
  • 3.3 V and 5 V TTL compatible inputs

用途

図

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