Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

1EDI3035AS

EiceDRIVER™ 1EDI3035ASは、SiC MOSFET用に最適化された車載用認定シングルチャネル高電圧ゲートドライバーです。
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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1EDI3035AS
1EDI3035AS
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2039
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Reinforced
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    PG-DSO-20
  • ファミリー
    EiceDRIVER™ isolated gate driver ICs for EV
  • 伝搬遅延オフ
    60 ns
  • 伝搬遅延オン
    60 ns
  • 入力 Vcc
    3 V to 5.5 V
  • 出力電流 (Sink)
    20 A
  • 出力電流 (Source)
    20 A
  • 分類
    ISO 26262-compliant
  • 認定
    Automotive
  • 電圧クラス
    1200 V
推奨
OPN
1EDI3035ASXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-20
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-20
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EiceDRIVER™ゲートドライバー1EDI3035ASは、コアレストランス(CT)技術を採用した8kVガルバニック絶縁を特長とする車載アプリケーション向けの高電圧SiC MOSFETドライバーです。このICは最大1200VのSiC-MOSFETをサポートし、IGBT+SiC HybridPACK™ Drive G2 Fusionモジュールの駆動に最適です。このデバイスは、高電力スイッチに必要な最大20Aのピーク電流の強力な出力段とDESAT保護を特長としています。

機能

  • ボルトのSiC MOSFET用。1200
  • CMTI最大150V/ns
  • 8kVピーク補強絶縁材(DIN VDE)
  • 統合ブースター(最大20Aピーク)
  • 一体型アクティブミラークランプ
  • 12ビットADC
  • SplitはTONおよびTOFF
  • DESAT保護
  • Config.内線ソフトターンオフ機能
  • 両側の安全入力
  • ISO 26262 SEooC (saf.ASIL B)

利点

  • 事前設定。最新のSiC MOSFET
  • 安全文書エイズシステム安全設計
  • 包括的な安全機能
  • システム・レベルでASIL Dをサポート
  • AEC-Q100認定
  • リーン包装(DSO-20)

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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