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RoHS準拠

REF_10KW_3LBUCK_SIC400

CoolSiC™ MOSFET 400 V G2搭載3レベル フライングキャパシタ バック
ユーザーマニュアル

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REF_10KW_3LBUCK_SIC400
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ユーザーマニュアル

製品仕様情報

  • コンフィギュレーション
    1ED3141MU12F, 2EDN7534R, IMT40R011M2H, IMT65R010M2H, IPDQ60R007CM8, ISSI20R11H, TLI4971-A050T5-E0001, XMC4400-F100F512 BA
  • ファミリー
    CoolSiC™
  • ボードタイプ
    Reference Board
  • 入力タイプ
    DC
  • 入力電圧 (範囲)
    55 V ～ 400 V
  • 出力電力 (最大)
    10000 W
  • 出力電流 (最大)
    34 A
  • 説明
    3 level flying capacitor buck reference design with CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
推奨
OPN
REF10KW3LBUCKSIC400TOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ N/A
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ N/A
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2搭載3レベル フライングキャパシタ バック2レベルと3レベルのトポロジーを比較できます。 目的は、400 V SiC MOSFETを用いた3レベルトポロジーの利点を設計で判断できるようにすることです。

特長

  • CoolSiC™ 400 V/650 V G2 MOSFETの評価
  • 3レベルと2レベルのトポロジーの比較
  • フライングキャパシタのバランシングアルゴリズム
  • コンパクトなプレーナートランスによるゲート電源
  • バイポーラ/ユニポーラのゲート駆動のテスト
  • 調整可能なゲート駆動電圧
  • Kelvin-/Power-Sourceゲート駆動をサポート
  • 低インダクタンスの高出力設計
  • ヒートシンクベースの冷却システム

利点

  • インダクタ電圧スイングを低減 (-50%)
  • MOSFETスイッチと比較してリップル周波数が2倍
  • インダクタンス値を25%低減
  • 高効率化のためにインダクタを最適化
  • 小型インダクタにより電力密度が向上
  • MOSFETの阻止電圧を低減
  • スイッチング損失を大幅に低減

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