REF_10KW_3LBUCK_SIC400
Active and preferred
RoHS対応

REF_10KW_3LBUCK_SIC400

CoolSiC™ MOSFET 400 V G2搭載3レベル フライングキャパシタ バック
ユーザー マニュアル

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

REF_10KW_3LBUCK_SIC400
REF_10KW_3LBUCK_SIC400
ユーザー マニュアル

製品仕様情報

  • コンフィギュレーション
    1ED3141MU12F, 2EDN7534R, IMT40R011M2H, IMT65R010M2H, IPDQ60R007CM8, ISSI20R11H, TLI4971-A050T5-E0001, XMC4400-F100F512 BA
  • ファミリー
    CoolSiC™
  • ボードタイプ
    Reference Board
  • 入力タイプ
    DC
  • 入力電圧 範囲
    55 V～400 V
  • 出力電力 (最大)
    10000 W
  • 出力電流 (最大)
    34 A
  • 説明
    3 level flying capacitor buck reference design with CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
推奨
OPN
REF10KW3LBUCKSIC400TOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ N/A
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ N/A
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2搭載3レベル フライングキャパシタ バック2レベルと3レベルのトポロジーを比較できます。 目的は、400 V SiC MOSFETを用いた3レベルトポロジーの利点を設計で判断できるようにすることです。

特長

  • CoolSiC™ 400 V/650 V G2 MOSFETの評価
  • 3レベルと2レベルのトポロジーの比較
  • フライングキャパシタのバランシングアルゴリズム
  • コンパクトなプレーナートランスによるゲート電源
  • バイポーラ/ユニポーラのゲート駆動のテスト
  • 調整可能なゲート駆動電圧
  • Kelvin-/Power-Sourceゲート駆動をサポート
  • 低インダクタンスの高出力設計
  • ヒートシンクベースの冷却システム

利点

  • インダクタ電圧スイングを低減 (-50%)
  • MOSFETスイッチと比較してリップル周波数が2倍
  • インダクタンス値を25%低減
  • 高効率化のためにインダクタを最適化
  • 小型インダクタにより電力密度が向上
  • MOSFETの阻止電圧を低減
  • スイッチング損失を大幅に低減

Bill of Material

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション