EVAL-1ED3321MC12N
Active and preferred

EVAL-1ED3321MC12N

Evaluation board for EiceDRIVER™ F3 Enhanced with short-circuit protection
個.
在庫あり

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EVAL-1ED3321MC12N
EVAL-1ED3321MC12N
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製品仕様情報

  • トポロジー
    Half Bridge
  • ファミリー
    Gate Driver
  • 入力タイプ
    DC
  • 製品名
    EVAL-1ED3321MC12N
  • 認定
    Industrial
OPN
EVAL1ED3321MC12NTOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The EVAL-1ED3321MC12N is designed with short-circuit protection enabled gate driver ICs (1ED3321MC12N) for IGBTs, SiC, and Si MOSFETs, preassembled with TRENCHSTOP™ IGBT IKW40N120H3. It is suitable for double-pulse testing and offers active Miller Clamp, soft-off, and separate source/sink outputs. Operating over a wide voltage range in unipolar or bipolar configurations, it ensures tight part-to-part propagation delay matching.

特長

  • Single channel isolated gate driver
  • For up to 2300 V Si & SiC switches
  • Galvanically isolated
  • Precise DESAT with fault output
  • Soft turn-off detection
  • 40 V absolute max. output voltage
  • 85 ns prop. delay w/ 35 ns input
  • High CMTI >300 kV/μs
  • Separate source and sink outputs
  • Short-circuit clamping
  • Active Miller Clamp
  • 11 V/12 V UVLO protection
ドキュメント

デザイン リソース

Diagram-EVAL-1ED3321MC12N
Diagram-EVAL-1ED3321MC12N
Diagram-EVAL-1ED3321MC12N Diagram-EVAL-1ED3321MC12N Diagram-EVAL-1ED3321MC12N