EVAL-1ED3121MX12H
Active and preferred

EVAL-1ED3121MX12H

Evaluation board for 1ED3121MX12H - 2300 V, 5.5 A, 5.7 kV (rms) single-channel isolated gate driver
アプリケーション ノート
個.
在庫あり

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EVAL-1ED3121MX12H
EVAL-1ED3121MX12H
個.
アプリケーション ノート

製品仕様情報

  • サブアプリケーション
    Server, Telecommunication
  • トポロジー
    Half Bridge
  • ファミリー
    Gate Driver, CoolSiC™ MOSFET, IGBT Discrete
  • ボードタイプ
    Evaluation Board
  • 入力タイプ
    DC
  • 対象アプリケーション
    Solar Energy Systems, EV Charger, Industrial Drives, Induction Heating, Power Supplies, Commercial Air Conditioning
  • 製品名
    EVAL-1ED3121MX12H
  • 認定
    Industrial
  • 電源電圧 範囲
    15.5 V～16.5 V
  • 電源電圧
    16 V
推奨
OPN
EVAL1ED3121MX12HTOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The EVAL-1ED3121MX12H features a half-bridge configuration with 1ED3121MU12H gate driver ICs for IGBTs and SiC MOSFETs. It includes TRENCHSTOP™ IGBT IKQ75N120CH3 and additional gate driver IC for isolated over-current feedback. Ideal for double-pulse testing, the 1ED3121MU12H offers separate sink and source output, stable timing, active shutdown, and short-circuit clamping over a wide supply voltage range.

特長

  • Single channel isolated gate driver
  • For < 2300 V IGBT, SiC & Si MOSFET
  • 2300 V funct. offset volt. capable
  • Galvanically isolated
  • 5.5 A typ. sink & source peak outp.
  • 40 V absolute max. output voltage
  • 90 ns propagation delay
  • High CMTI >200 kV/μs
  • Separate source and sink outputs
  • Short-circuit clamping
  • DSO-8 300 mil wide-body package
  • 10.5 V/12.5 V UVLO protection

Bill of Material

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション