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950 V CoolMOS™ PFD7

エネルギー効率の高い高電力照明、民生用、産業用SMPSアプリケーション向けた次のレベルの超高電力密度設計

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概要

PFD7は、超高電力密度と最高効率の設計に合わせて調整されています。 これらの製品は、主にPFCおよびLLC/LCCトポロジーの民生用および産業用SMPSアプリケーションに対応しています。 950V CoolMOS™ PFD7は、CoolMOS™ C3に比べてQgを60%削減し(駆動損失の低減、光の改善、全負荷効率の向上)、高速で堅牢なボディダイオードを兼ね備えています。

主な機能

  • 超高速ボディダイオード、最小のQrr
  • Best RDS(on) x Eoss;3Vの小型Qg & Coss
  • V(GS)th、クラス2までの厳しい±0.5V
  • ESD保護、クラス2(HBM)
  • クラス最高の品質と信頼性

    • 製品

    概要

    強力な結果をもたらすコンパクトな設計: 超高電力密度設計

    RDS(on)の範囲が60mΩから450mΩまで、ハードスイッチングトポロジーでもソフトスイッチングトポロジーでも、950V CoolMOS™ PFD7はスイッチングの利点を提供し、ターゲットアプリケーションを小型化し、高電圧SMDパッケージを提供することにより薄型設計に対応します。

    950 V PFD7テクノロジー (照明、民生用、産業用SMPS)

    クラス最高のハード整流堅牢性により、複数のトポロジー間での使用を可能にします。 CoolMOS™ C3と比較して、最大0.5%の効率向上と最大4°C低いMOSFET温度。 より高い電力密度の設計、BOMの節約、およびアセンブリコストの削減を可能にします。 運転とデザインインが簡単です。 ESD関連の故障を減らすことでコンバーターの生産歩留まりを向上させ、生産上の問題を減らし、フィールドリターンを減らします。

    堅牢で信頼性の高いソリューションでパフォーマンスを向上

    PFD7ファミリーは、高速で堅牢なボディダイオードの最適化を念頭に置いて特別に設計されています。 また、ゲートは堅牢に設計されており、それぞれ人体モデル(HBM)および充電デバイスモデル(CDM)のESDクラスC2およびC3に準拠しています。 堅牢な動作に貢献するのは、±0.5Vの小さな許容誤差で3　Vに上昇した閾値電圧です。

    強力な結果をもたらすコンパクトな設計: 超高電力密度設計

    RDS(on)の範囲が60mΩから450mΩまで、ハードスイッチングトポロジーでもソフトスイッチングトポロジーでも、950V CoolMOS™ PFD7はスイッチングの利点を提供し、ターゲットアプリケーションを小型化し、高電圧SMDパッケージを提供することにより薄型設計に対応します。

    950 V PFD7テクノロジー (照明、民生用、産業用SMPS)

    クラス最高のハード整流堅牢性により、複数のトポロジー間での使用を可能にします。 CoolMOS™ C3と比較して、最大0.5%の効率向上と最大4°C低いMOSFET温度。 より高い電力密度の設計、BOMの節約、およびアセンブリコストの削減を可能にします。 運転とデザインインが簡単です。 ESD関連の故障を減らすことでコンバーターの生産歩留まりを向上させ、生産上の問題を減らし、フィールドリターンを減らします。

    堅牢で信頼性の高いソリューションでパフォーマンスを向上

    PFD7ファミリーは、高速で堅牢なボディダイオードの最適化を念頭に置いて特別に設計されています。 また、ゲートは堅牢に設計されており、それぞれ人体モデル(HBM)および充電デバイスモデル(CDM)のESDクラスC2およびC3に準拠しています。 堅牢な動作に貢献するのは、±0.5Vの小さな許容誤差で3　Vに上昇した閾値電圧です。

    ドキュメント

    ドキュメント

    デザイン リソース

    開発者コミュニティ

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