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概要

1EDN71x6Gxは、 GaN ショットキーゲート (SG) HEMTおよびSi MOSFET用に最適化されたシングルチャネルゲート ドライバ IC製品ファミリーです。このゲートドライバには、TDI、ドライブ能力の4つのオプション、アクティブ ミラー クランプ、ブートストラップ電圧クランプ、PG-SON-10およびPG-TSNP-7パッケージの調整可能なチャージポンプの有無など、高速スイッチング トランジスタを使用した高性能システム設計を可能にするいくつかの重要な機能が含まれています。

主な機能
  • Truly differential logic input (TDI)
  • 4つの駆動力
  • アクティブ ミラー クランプ
  • 調整可能な負電圧チャージポンプ
  • アクティブブートストラップコンデンサー
アプリケーション
通信インフラ
通信インフラ向けのDC-DC 電力変換
オーディオアンプ ソリューション
モーター制御
サーバー電源

製品

概要

EiceDRIVER™ 1EDN71x6x の主な利点
  • ハイサイド駆動とローサイドのグランドバウンス耐性
  • 外付けのゲート抵抗なしでスイッチング速度を最適化
  • アクティブミラークランプによる誘導ターンオンの回避
  • オプションのチャージポンプにより、必要に応じて誘導ターンオンイミュニティを追加可能
  • デッドタイム中のブートストラップキャパシタの過充電を回避
EiceDRIVER™ 1EDN71x6x 最適化されたパッケージ

調整可能なチャージポンプを備えたPG-SON-10パッケージおよびチャージポンプなしのPG-TSNP-7パッケージ

TDI 機能の利点

TDI機能により、同相電圧が150V (スタティック) および200V (ダイナミック) 未満の場合、ゲートドライバ出力状態は、 ドライバのリファレンス (グランド) 電位とは無関係に、2つの入力間の電圧差によって排他的に制御されます。 これにより、ローサイド アプリケーションでのグランド バウンスによる誤ったトリガーのリスクが排除され、1EDN71x6Gxはハイサイド アプリケーションにも対応できます。

EiceDRIVER™ 1EDN71x6x の主な利点
  • ハイサイド駆動とローサイドのグランドバウンス耐性
  • 外付けのゲート抵抗なしでスイッチング速度を最適化
  • アクティブミラークランプによる誘導ターンオンの回避
  • オプションのチャージポンプにより、必要に応じて誘導ターンオンイミュニティを追加可能
  • デッドタイム中のブートストラップキャパシタの過充電を回避

EiceDRIVER™ 1EDN71x6x 最適化されたパッケージ

調整可能なチャージポンプを備えたPG-SON-10パッケージおよびチャージポンプなしのPG-TSNP-7パッケージ

TDI 機能の利点

TDI機能により、同相電圧が150V (スタティック) および200V (ダイナミック) 未満の場合、ゲートドライバ出力状態は、 ドライバのリファレンス (グランド) 電位とは無関係に、2つの入力間の電圧差によって排他的に制御されます。 これにより、ローサイド アプリケーションでのグランド バウンスによる誤ったトリガーのリスクが排除され、1EDN71x6Gxはハイサイド アプリケーションにも対応できます。

ドキュメント

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