インフィニオン、イノサイエンスに対する特許侵害訴訟で米国国際貿易委員会より有利な判断

ビジネス＆財務プレス

05/12/2025
  • ITCの最終決定によってはイノサイエンスが侵害しているとされる製品の米国への輸入禁止措置が取られる可能性
  • インフィニオンの業界をリードする特許ポートフォリオの価値を裏付けるさらなる好判断
  • GaNは高性能かつ省エネルギーな電力システムを実現する上で極めて重要な役割を果たす

 

2025年12月3日、ミュンヘン (ドイツ)

米国国際貿易委員会 (ITC) は、インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) が保有する窒化ガリウム (GaN) 技術に関する特許1件について、イノサイエンスによる侵害を認定しました[1]。さらに、この予備的判断においてITCは、インフィニオンがITCにおける手続で主張した両特許が法的に有効であることを確認しました[2]。本件は、イノサイエンスによるインフィニオンの特許取得済みGaN技術の無断使用が争点です。ITCの最終決定は2026年4月2日に公表される見通しです。この予備的判断が確定した場合、イノサイエンスの侵害が疑われる製品は、米国への輸入が禁止される見込みです。

インフィニオンのシニアバイスプレジデントでGaNビジネス ラインの責任者ヨハネス ショイスヴォール (Johannes Schoiswohl) は「今回の判断はインフィニオンの知的財産権の強固さを改めて証明するものであり、特許ポートフォリオを侵害から断固として守り、市場における公正な競争を確保するという我々のコミットメントを裏付けるものです。脱炭素化からデジタル化まで、世界が直面する喫緊の課題に対処するため、インフィニオンはイノベーションの促進と半導体技術の進歩に引き続き尽力します」と述べています。

今回の判断は、インフィニオンのGaN技術への貢献価値を改めて強調する、さらなる前向きな決定です。ドイツでの並行する訴訟では、ドイツ特許庁が最近インフィニオンの特許の有効性を確認し、若干修正した形でこれを維持しました。インフィニオンは、この特許の侵害をミュンヘン地方裁判所において主張しています[3]。すでに2025年8月には、ミュンヘン地方裁判所第一部 (Landgericht München I) は、イノサイエンスによるインフィニオンの別の特許の侵害を認定しています[4]。

インフィニオンは、GaN特許として約450件という業界で最も広範な知的財産ポートフォリオを保有し、GaN市場における主要な統合デバイスメーカー (IDM) としての地位を築いています。

GaNは再生可能エネルギーシステム、AIデータセンター、産業オートメーション、電気自動車 (EV) など幅広い応用分野において、高性能かつエネルギー効率の高い電力システムを実現する上で極めて重要な役割を果たします。GaN半導体は、より高い電力密度、より速いスイッチング速度、より低い電力損失を実現し、小型設計を可能にすることで、エネルギー消費と発熱を低減します。パワーシステムのリーダーとして、インフィニオンは関連する3つの材料すべて、すなわちシリコン (Si)、炭化ケイ素 (SiC)、窒化ガリウム (GaN) に精通しています。

 

[1] 米国特許第9,899,481号

[2] 米国特許第9,899,481号および第9,070,755号

[3] ドイツ特許出願第DE102017100947号

[4] ドイツ特許出願第DE102014113465号

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約57,000人の従業員を擁し (2025年9月末時点)、2025会計年度 (2024年10月～2025年9月) の売上高は約147億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

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Infineon GaN 300-millimeter Technology

Infineon GaN 300-millimeter Technology

Infineon has become the first semiconductor manufacturer to successfully develop 300-millimeter GaN power wafer technology within its existing high-volume manufacturing infrastructure.

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