U.S. International Trade Commission stellt Verletzung eines Patents von Infineon durch Innoscience fest

Wirtschaftspresse

Dec 03, 2025
  • Falls diese vorläufige Entscheidung bestätigt wird, wird sie dazu führen, dass die Einfuhr der als patentverletzend angesehenen Produkte von Innoscience in die USA untersagt wird
  • Das Urteil ist eine weitere positive Entscheidung, die den Wert von Infineons branchenführendem Patentportfolio unterstreicht
  • GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Energiesysteme

München – 03.12.2025 – Die International Trade Commission (ITC) in den USA hat die Verletzung eines Patents der Infineon Technologies AG, das sich auf Galliumnitrid-(GaN)-Technologie bezieht, durch Innoscience festgestellt.[1] Zudem bestätigte die ITC in dieser vorläufigen Entscheidung, dass beide von Infineon in dem Verfahren vor der ITC geltend gemachten Patente rechtsbeständig sind. [2] In dem anhängigen Fall geht es um die unbefugte Nutzung von Infineon-GaN-Technologien durch Innoscience. Die endgültige Entscheidung der Kommission wird am 2. April 2026 erwartet und wird, falls die vorläufige Entscheidung bestätigt wird, dazu führen, dass die Einfuhr der als patentverletzend angesehenen Produkte von Innoscience in die USA untersagt wird.

„Diese Entscheidung ist ein weiterer Beleg für die Stärke des geistigen Eigentums von Infineon und bestätigt unser Engagement, unser Patentportfolio konsequent gegen Verletzungen zu verteidigen und damit einen fairen Wettbewerb im Markt sicherzustellen“, sagt Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line bei Infineon. „Wir verfolgen weiterhin das Ziel, Innovationen zu fördern und die Halbleitertechnologie weiterzuentwickeln, um die drängendsten Herausforderungen unserer Zeit zu adressieren – von der Dekarbonisierung bis zur digitalen Transformation.“

Die Entscheidung ist ein weiterer Schritt, der den Wert des Beitrags von Infineon zur GaN-Technologie unterstreicht. In einem parallelen Rechtsstreit in Deutschland hat das Deutsche Patent- und Markenamt vor Kurzem die Gültigkeit eines Patents von Infineon bestätigt und in leicht geänderter Form aufrechterhalten. Infineon macht die Verletzung dieses Patents vor dem Landgericht München I geltend.[3] Bereits im August 2025 stellte das Gericht die Verletzung eines weiteren Infineon-Patents durch Innoscience fest.[4]

Infineon ist ein führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt mit dem branchenweit breitesten IP-Portfolio, das rund 450 GaN-Patentfamilien umfasst. GaN spielt eine Schlüsselrolle bei der Realisierung leistungsstarker und energieeffizienter Leistungssysteme in einer Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, KI-Rechenzentren, industrielle Automatisierung und Elektrofahrzeuge (EVs). Durch höhere Leistungsdichte, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste ermöglichen GaN-Halbleiter kompaktere Designs, verringern Energieverbrauch und Wärmeentwicklung. Als führendes Unternehmen im Bereich Leistungssysteme beherrscht Infineon alle drei relevanten Materialien: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).

[1] US 9,899,481
[2] US 9,899,481 and US 9,070,755
[3] DE102017100947
[4] DE102014113465

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Infineon GaN 300-millimeter Technology

Infineon GaN 300-millimeter Technology

Infineon has become the first semiconductor manufacturer to successfully develop 300-millimeter GaN power wafer technology within its existing high-volume manufacturing infrastructure.

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Andre Tauber

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