S70FL01GSAGMFI011
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S70FL01GSAGMFI011

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パッケージ
ソフトウェア
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在庫あり

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S70FL01GSAGMFI011
S70FL01GSAGMFI011
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データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    52 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
S70FL01GSAGMFI011
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 705
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 705
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
S70FL01GSAGMFI011は1 Gbit（128 Mbyte）の車載グレードSPI NORフラッシュメモリで、2つのS25FL512Sダイを積層したInfineon 65 nm MirrorBit技術を採用。コア電圧2.7 V～3.6 V、SPIマルチI/O、クワッドおよびDDRモード、最大133 MHz対応。均一な256 kBセクタ、10万回書換、20年データ保持。AEC-Q100 Grade 1認証、-40°C～+125°C動作で車載用途に最適。

特長

  • デュアルダイスタック構造
  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • DDR/SDRモード対応
  • 32ビット拡張アドレス
  • 512バイトページプログラムバッファ
  • 均一256 KBセクタ
  • 10万回書換保証
  • 20年データ保持
  • 2048バイトOTP領域
  • ブロック保護と高度なセクタ保護
  • コア電圧2.7-3.6 V
  • I/O電圧1.65-3.6 V

利点

  • 1 Gbit高密度ストレージ実現
  • 柔軟なインターフェース
  • DDRで高速転送
  • 大容量アドレス空間
  • 高速プログラムで効率化
  • メモリ管理が容易
  • 頻繁な書換も信頼性維持
  • 長期データ保持
  • 機密データ保護
  • 誤消去防止
  • 3 Vシステム対応
  • 柔軟なI/Oで統合容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ