Active and preferred

JANSR2N7616UBN

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSR2N7616UBN
JANSR2N7616UBN
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UB
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UB
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-LCC-3
パッケージ坝 LCC-3- Metal lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-LCC-3
パッケージ坝 LCC-3- Metal lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
JANSR2N7616UBN MOSFET is a single N-channel device with a 60V/0.8A rating and a UB package. It offers radiation hardness up to 100krad(Si) TID and QPL classification, with single event gate rupture and burnout immunity. This R7 MOSFET is ideal for interfacing with CMOS and TTL control circuits in radiation environments, and can be used to increase output current from a 3.3-5V source.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }