JANSR2N7616UBN
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JANSR2N7616UBN

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JANSR2N7616UBN
JANSR2N7616UBN
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    0.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UB
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    680 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UB
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
JANSR2N7616UBN MOSFET is a single N-channel device with a 60V/0.8A rating and a UB package. It offers radiation hardness up to 100krad(Si) TID and QPL classification, with single event gate rupture and burnout immunity. This R7 MOSFET is ideal for interfacing with CMOS and TTL control circuits in radiation environments, and can be used to increase output current from a 3.3-5V source.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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