JANSR2N7616UBC
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JANSR2N7616UBC

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JANSR2N7616UBC
JANSR2N7616UBC
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    0.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UBC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    680 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UBC
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
N-channel MOSFET JANSR2N7616UBC is a radiation-hardened power device designed for use in space and other radiation environments. With a voltage rating of 60V and a current rating of 0.8A, it features QPL qualification, single event gate rupture, and burnout immunity. Its threshold voltage remains constant even after radiation. This R7 device may be used to increase output current of PWM or operational amplifiers.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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