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JANSR2N7616UBC

データシート
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JANSR2N7616UBC
JANSR2N7616UBC
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UBC
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UBC
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-LCC-4
パッケージ名 LCC-3 + Gnd Pin Ceramic Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-LCC-4
パッケージ名 LCC-3 + Gnd Pin Ceramic Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
N-channel MOSFET JANSR2N7616UBC is a radiation-hardened power device designed for use in space and other radiation environments. With a voltage rating of 60V and a current rating of 0.8A, it features QPL qualification, single event gate rupture, and burnout immunity. Its threshold voltage remains constant even after radiation. This R7 device may be used to increase output current of PWM or operational amplifiers.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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