JANSF2N7470T1
Active and preferred

JANSF2N7470T1

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7470T1
JANSF2N7470T1
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    150 nC
  • QPL型番
    2N7470T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    6 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The JANSF2N7470T1 R5 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device designed for space applications. It has a high voltage rating of 60V and a current rating of 45A. The low RDS(on) and low gate charge make it ideal for DC-DC converters and motor control. The device also features electrical performance up to 300krad(Si) TID and has been characterized for Single Event Effects (SEE).

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ