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JANSF2N7470T1

データシート
パッケージ

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JANSF2N7470T1
JANSF2N7470T1
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    150 nC
  • QPL型番
    2N7470T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    6 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The JANSF2N7470T1 R5 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device designed for space applications. It has a high voltage rating of 60V and a current rating of 45A. The low RDS(on) and low gate charge make it ideal for DC-DC converters and motor control. The device also features electrical performance up to 300krad(Si) TID and has been characterized for Single Event Effects (SEE).

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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