IRLSL3036

IRLSL3036

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
データシート

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IRLSL3036
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    270 A
  • Ptot (最大)
    380 W
  • Qgd
    51 nC
  • QG (typ @4.5V)
    91 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.4 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    1 V～2.5 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Logic level : Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level), and capable of being driven at 4.5V gate-drive voltage
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current carrying capability package (up to 195A, die-size dependent)
  • Capable of being wave-soldered

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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