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IRHYK57133CMSE

データシート
パッケージ

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IRHYK57133CMSE
IRHYK57133CMSE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    12.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    48 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    82 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHYK57133CMSE R5 N-channel MOSFET is a rad hard device with 130V and 20A rating. Housed in a TO-257AA tabless low ohmic package, it has electrical performance up to 100krad(Si) TID. The low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications. It offers MOSFET advantages like voltage control, fast switching, and temperature stability. SEE characterized performance up to an LET of 80 MeV·cm2/mg.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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