IRHYK57133CMSE
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IRHYK57133CMSE
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データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    12.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    48 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    82 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHYK57133CMSE R5 N-channel MOSFET is a rad hard device with 130V and 20A rating. Housed in a TO-257AA tabless low ohmic package, it has electrical performance up to 100krad(Si) TID. The low RDS(on) and gate charge reduce power losses in switching applications. It offers MOSFET advantages like voltage control, fast switching, and temperature stability. SEE characterized performance up to an LET of 80 MeV·cm2/mg.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }