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IRHY67C30CSCS

データシート
パッケージ

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IRHY67C30CSCS
IRHY67C30CSCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    2.1 A
  • ID (@25°C) max
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    3000 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 N/A
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 -
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IRHY67C30CSCS R6 N-channel MOSFET is a rad-hard device with 600V and 3.4A capabilities. Its superior power technology provides improved power density and faster switching times for high speed switching applications. With low RDS(on) and high immunity to SEE, this QIRL device is ideal for space applications. It's characterized for LET up to 90MeV·cm2/mg and electrical performance up to 100krad(Si) TID.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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