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IRHNS9A93260

データシート
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IRHNS9A93260
IRHNS9A93260
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    3B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    -62 A
  • QG
    230 nC
  • QPL型番
    2N7666U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    32 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNS9A93260 P-channel MOSFET is rad hard, with -200V and -62A, in a single SupIR-SMD package with electrical performance up to 300krad(Si) TID. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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