IRHNS9A3064
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IRHNS9A3064

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IRHNS9A3064
IRHNS9A3064
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    100 A
  • ID (@25°C) (最大)
    100 A
  • QG
    194 nC
  • QPL型番
    2N7652U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    4 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
TheIRHNS9A3064 R9 N-channel MOSFET is a rad hard device in a SupIR-SMD package, with 60V and 100A capabilities. It's a COTS device and offers electrical performance up to 300krad(Si) TID, ideal for space applications. It features low RDS(on) and faster switching times, reducing power losses and increasing power density. The MOSFET also provides voltage control, fast switching, and temperature stability of electrical parameters.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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