IRHNS57160
Active and preferred

IRHNS57160

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNS57160
IRHNS57160
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    69 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7469U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    12 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNS57160 R5 MOSFET is a rad hard device ideal for space applications. With a 100V, 75A capacity and SupIR-SMD package, it has low RDS(on) and gate charge, reducing power losses in high-speed switching. Proven SEE up to an LET of 80MeV·cm2/mg and COTS classified. Retains MOSFET advantages such as voltage control, fast switching, and ease of paralleling.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }