IRHNS57160
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IRHNS57160

データシート
パッケージ

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IRHNS57160
IRHNS57160
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    69 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7469U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    12 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNS57160 R5 MOSFET is a rad hard device ideal for space applications. With a 100V, 75A capacity and SupIR-SMD package, it has low RDS(on) and gate charge, reducing power losses in high-speed switching. Proven SEE up to an LET of 80MeV·cm2/mg and COTS classified. Retains MOSFET advantages such as voltage control, fast switching, and ease of paralleling.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ