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IRHNJ7430SESCS

データシート
パッケージ

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IRHNJ7430SESCS
IRHNJ7430SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    2.8 A
  • ID (@25°C) max
    4.5 A
  • QG
    30 nC
  • QPL型番
    2N7466U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    1600 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHNJ7430SESCS N-channel MOSFET has rad hard technology with electrical performance up to 100krad(Si) TID, and is a single 500V, 4.5A device in a SMD-0.5 package. With IR HiRel rad hard HEXFET technology, this R4 MOSFET is ideal for space applications, with low RDS(on) and gate charge, and fast switching.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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