IRHNJ7430SESCS
Active and preferred

IRHNJ7430SESCS

データシート
パッケージ

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IRHNJ7430SESCS
IRHNJ7430SESCS
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    2.8 A
  • ID (@25°C) (最大)
    4.5 A
  • QG
    30 nC
  • QPL型番
    2N7466U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    1600 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IRHNJ7430SESCS N-channel MOSFET has rad hard technology with electrical performance up to 100krad(Si) TID, and is a single 500V, 4.5A device in a SMD-0.5 package. With IR HiRel rad hard HEXFET technology, this R4 MOSFET is ideal for space applications, with low RDS(on) and gate charge, and fast switching.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ