IRHNJ7430SESCS
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IRHNJ7430SESCS

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IRHNJ7430SESCS
IRHNJ7430SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    2.8 A
  • ID (@25°C) (最大)
    4.5 A
  • QG
    30 nC
  • QPL型番
    2N7466U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    1600 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHNJ7430SESCS N-channel MOSFET has rad hard technology with electrical performance up to 100krad(Si) TID, and is a single 500V, 4.5A device in a SMD-0.5 package. With IR HiRel rad hard HEXFET technology, this R4 MOSFET is ideal for space applications, with low RDS(on) and gate charge, and fast switching.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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