IRHNJ57230SESCS

IRHNJ57230SESCS

データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ57230SESCS
IRHNJ57230SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    7.8 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • QG
    35 nC
  • QPL型番
    2N7486U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    220 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS (最小)
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
This R5 device is a single N-channel MOSFET designed for space applications with rad hard capabilities. IRHNJ57230SESCS has a maximum voltage of 200V and a current capacity of 12A, along with low RDS(on) and low gate charge for minimized power losses in switching applications. This device also retains all the usual advantages of MOSFETs, with a QIRL classification.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }