IRHNJ57230SESCS

データシート

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IRHNJ57230SESCS
IRHNJ57230SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    7.8 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    35 nC
  • QPL型番
    2N7486U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
This R5 device is a single N-channel MOSFET designed for space applications with rad hard capabilities. IRHNJ57230SESCS has a maximum voltage of 200V and a current capacity of 12A, along with low RDS(on) and low gate charge for minimized power losses in switching applications. This device also retains all the usual advantages of MOSFETs, with a QIRL classification.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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