IRHNA6S7160SCSD

データシート

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IRHNA6S7160SCSD
IRHNA6S7160SCSD
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    56 A
  • ID (@25°C) (最大)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    10 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
This R6 rad hard N-channel MOSFET comes in a SMD-2 package and on DBC carrier. With 100V and 56A capacity, it offers electrical performance up to 100krad(Si) TID. Ideal for space applications, IRHNA6S7160SCSD has low RDS(on) and gate charge, reducing power losses in switching applications such as DC-DC converters and motor controllers. Voltage control, fast switching, and temperature stability make this MOSFET ideal for any high-performance application.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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