IRHNA6S7160SCSD

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データシート

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IRHNA6S7160SCSD
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データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    56 A
  • ID (@25°C) (最大)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    10 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
This R6 rad hard N-channel MOSFET comes in a SMD-2 package and on DBC carrier. With 100V and 56A capacity, it offers electrical performance up to 100krad(Si) TID. Ideal for space applications, IRHNA6S7160SCSD has low RDS(on) and gate charge, reducing power losses in switching applications such as DC-DC converters and motor controllers. Voltage control, fast switching, and temperature stability make this MOSFET ideal for any high-performance application.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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