IRHNA67264
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IRHNA67264

データシート
パッケージ

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IRHNA67264
IRHNA67264
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    31.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    50 A
  • QG
    220 nC
  • QPL型番
    2N7585U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    40 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The rad hard IRHNA67264 R6 N-channel MOSFET offers 200V and 31.5A with electrical performance up to 100krad(Si) TID. A COTS part in a compact SMD-2 package, it's optimized for space applications with low RDS(on), low gate charge, loss reduction, and well-established MOSFET advantages. LET up to 90 MeV·cm2/mg and characterized for Total Dose and SEE.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ