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IRHNA67264

データシート
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IRHNA67264
IRHNA67264
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    31.5 A
  • ID (@25°C) max
    50 A
  • QG
    220 nC
  • QPL型番
    2N7585U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    40 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The rad hard IRHNA67264 R6 N-channel MOSFET offers 200V and 31.5A with electrical performance up to 100krad(Si) TID. A COTS part in a compact SMD-2 package, it's optimized for space applications with low RDS(on), low gate charge, loss reduction, and well-established MOSFET advantages. LET up to 90 MeV·cm2/mg and characterized for Total Dose and SEE.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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