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IRHN7250SESCS

データシート
パッケージ

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IRHN7250SESCS
IRHN7250SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    16 A
  • ID (@25°C) (最大)
    26 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    100 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.9 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHN7250SESCS R4 rad hard N-channel MOSFET, in the SMD-1 package, offers a high-performance solution for space applications. With a voltage rating of 200V and current handling capability of 26A, this MOSFET provides low RDS(on) and low gate charge for minimal power losses in DC-DC converters and motor control applications. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and is QIRL classified, ensuring reliable performance.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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