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IRHN7250SESCS

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IRHN7250SESCS
IRHN7250SESCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    26 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    100 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.9 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-1 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-1 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHN7250SESCS R4 rad hard N-channel MOSFET, in the SMD-1 package, offers a high-performance solution for space applications. With a voltage rating of 200V and current handling capability of 26A, this MOSFET provides low RDS(on) and low gate charge for minimal power losses in DC-DC converters and motor control applications. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and is QIRL classified, ensuring reliable performance.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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