IRHMS67260
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IRHMS67260

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IRHMS67260
IRHMS67260
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    35 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    240 nC
  • QPL型番
    2N7584T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    29 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHMS67260 R6 N-channel MOSFET is a radiation-hardened, 200V, 45A device in a TO-254AA low ohmic package. With low RDS(on) and gate charge, it reduces power losses in space applications. It offers voltage control, fast switching, and temperature stability and has electrical performance up to 100krad TID classification. Ideal for DC-DC converters and motor controllers.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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