IRHMB6S7260SCS

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データシート

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IRHMB6S7260SCS
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データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    35 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    240 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    29 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHMB6S7260SCS R6 N-channel MOSFET is a space-grade device with 200V/35A capacity. Its TO-254AA tabless low ohmic package provides electrical performance up to 100krad(Si) TID, QIRL classification. Its low RDS(on) and gate charge reduce power losses in DC-DC converters and motor controllers. This MOSFET provides voltage control, fast switching, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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