新規設計は非推奨

IRHLNM7S7214

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM7S7214
IRHLNM7S7214
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    2 A
  • ID (@25°C) max
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1100 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLNM7S7214 MOSFET is a single R7 N-channel device with a maximum voltage rating of 250V and a current rating of 3.2A. It is designed for space and other radiation environments, featuring rad hard construction, electrical performance up to 100krad(Si) TID. This COTS MOSFET provides single event gate rupture and burnout immunity while maintaining acceptable operating limits over full temperature and radiation.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }