新規設計は非推奨

IRHLNM77110SCV

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM77110SCV
IRHLNM77110SCV
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    4.1 A
  • ID (@25°C) (最大)
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    290 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLNM77110SCV R7 logic level power MOSFET is a QIRL-qualified, rad hard N-channel MOSFET that can handle up to 100V and 6.5A. It comes in a compact SMD-0.2 package and offers a solution for interfacing with CMOS and TTL control circuits in radiation environments. The device's threshold voltage remains within operating limits even after exposure to radiation up to 100krad(Si) TID, and provides immunity to single event gate rupture and burnout.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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