新規設計は非推奨

IRHLNM77110SCV

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM77110SCV
IRHLNM77110SCV
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    4.1 A
  • ID (@25°C) max
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    290 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLNM77110SCV R7 logic level power MOSFET is a QIRL-qualified, rad hard N-channel MOSFET that can handle up to 100V and 6.5A. It comes in a compact SMD-0.2 package and offers a solution for interfacing with CMOS and TTL control circuits in radiation environments. The device's threshold voltage remains within operating limits even after exposure to radiation up to 100krad(Si) TID, and provides immunity to single event gate rupture and burnout.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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