IRFMG50SCX

データシート

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IRFMG50SCX
IRFMG50SCX
データシート

Product details

  • ID (@100°C) max
    3.5 A
  • ID (@25°C) max
    5.6 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    2000 mΩ
  • VBRDSS min
    1000 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-254AA
  • 極性
    N
OPN
製哝ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRFMG50SCX is a high reliability, 1000V, single, N-channel MOSFET in a TO-254AA package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications. It has TX level screening and is suitable for defense applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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