IRFI4510G

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB FullPak
データシート

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IRFI4510G
IRFI4510G
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    35 A
  • Ptot max
    42 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    54 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    13.5 mΩ
  • RthJC max
    3.6 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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