IRF7910

12V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF7910
IRF7910
データシート

Product details

  • ID (@ TA=25°C) max
    10 A, 10 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    7.9 A, 7.9 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    5.2 nC
  • QG
    17 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    15 mΩ
  • RDS (on) (@2.7V) max
    50 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    12 V
  • VGS max
    12 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
  • Dual N-Channel MOSFET

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }