IRF7910

IRF7910

12V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF7910
IRF7910
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    10 A, 10 A
  • ID (@ TA=70°C) (最大)
    7.9 A, 7.9 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    5.2 nC
  • QG
    17 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    15 mΩ
  • RDS (on) (@2.7V) (最大)
    50 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    12 V
  • VGS (最大)
    12 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
  • Dual N-Channel MOSFET

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }