Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IRF7907

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IRF7907
IRF7907
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    11 A, 9.1 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Ptot (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    4.9 nC, 4.9 nC
  • QG (typ @4.5V)
    14 nC, 6.7 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    13.7 mΩ, 20.5 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    16.4 mΩ, 11.8 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.35 V ～ 2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.34
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 極性
    N+N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IRF7907TRPBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal resistance to PCB
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Very Low Gate Charge
  • Dual N-Channel MOSFET

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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