IRF7171M

IRF7171M

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MN package
データシート

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IRF7171M
IRF7171M
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    93 A
  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    59 A
  • ID (最大)
    59 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.1 W
  • Ptot (最大)
    104 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG
    36 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    6.5 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    6.5 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.2 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET MN
  • マイクロステンシル
    IRF66MN-25
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch
  • Optimized for Synchronous Rectification
  • RoHS Compliant, Halogen Free
  • Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)
  • Low Conduction Losses
  • High Cdv/dt Immunity
  • Low Profile (less than 0.7mm)
  • Dual Sided Cooling Compatible
  • Compatible with existing Surface Mount Techniques
  • Industrial Qualified
  • FastIRFET™

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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