IRF6802SD

IRF6802SD

A 25V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SA package rated at 16 amperes optimized with low on resistance.
データシート

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IRF6802SD
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データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    57 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    1.7 W
  • Qgd (typ)
    3.1 nC
  • QG (typ @4.5V)
    8.8 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.2 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    5.9 mΩ
  • RthJA (最大)
    72 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.1 V～2.1 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    DirectFET SA
  • マイクロステンシル
    IRF66SA-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • 100% Rg tested
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling
  • Optimized for Control FET Applications
  • Low Conduction Losses
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Low Package Inductance

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ