IRF6798M

IRF6798M

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 37 amperes optimized with low on resistance.
データシート

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IRF6798M
IRF6798M
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=70°C) (最大)
    30 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    197 A
  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    37 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.8 W
  • Ptot (最大)
    78 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.1 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    1.3 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.6 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET MX
  • マイクロステンシル
    IRF66MX-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N with Schottky
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • 100% Rg tested
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling
  • Low Conduction Losses
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Low Package Inductance
  • Integrated Monolithic Sckottky Diode

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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