IRF6798M

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 37 amperes optimized with low on resistance.
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF6798M
IRF6798M
データシート

Product details

  • ID (@ TA=70°C) max
    30 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    197 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    37 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.8 W
  • Ptot max
    78 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.1 mΩ
  • RDS (on) max
    1.3 mΩ
  • RthJC max
    1.6 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET MX
  • マイクロステンシル
    IRF66MX-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N with Schottky
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • 100% Rg tested
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling
  • Low Conduction Losses
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Low Package Inductance
  • Integrated Monolithic Sckottky Diode

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }