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IRF3CMS17N80

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IRF3CMS17N80
IRF3CMS17N80

Product details

  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    15 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    340 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    800 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRF3CMS17N80 is a high reliability, 800V, single, N-channel MOSFET in a TO-254AA low ohmic package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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